2025年6月17日下午，由学院、同济大学上海智能科学与技术研究院联合举办的智信讲堂第82期在智信馆305室开讲。本次讲堂邀请上海科技大学邹新波副教授作“GaN基增强型HEMT器件研究进展”主题报告。

在报告中，邹新波副教授介绍其团队在p-GaN帽增强型HEMT器件以及凹栅增强型器件方面的最新研究进展。氮化镓（GaN）半导体材料具有禁带宽度大、击穿场强高、电子迁移率高等特点。得益于这些优异的材料特性，氮化镓电子器件已广泛应用于消费电子快充、高频通信、雷达系统等方面，并有望扩展至服务器电源、汽车电子等领域。基于氮化镓的高电子迁移率晶体管（HEMT）通常为耗尽型器件，即在无外界栅极控制电压的情况下呈现导通状态。然而，该类器件在电力电子变换器等应用中，需要施加负向的电压来关断器件，这会增加驱动电路的复杂性。且栅极失效等状况会带来器件和系统短路的风险。与之相反，栅极常关的氮化镓增强型HEMT器件可减少驱动电路复杂度，并简化保护方案，是目前氮化镓领域的一项研究热点。

报告结束后，邹新波副教授和与会师生进行了亲切交流和讨论，他也根据自身经历勉励同学们要积极拓宽视野、努力探索、发现并解决新的科学问题。此次报告进一步拓展了我校师生的视野，深化了对GaN基增强型HEMT器件研究的理解。